FDMB3900AN

FDMB3900AN datasheet скачать даташит

Сообщить об ошибке

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

FDMB3900AN datasheet

Маркировка

FDMB3900AN
Производитель

Fairchild Semiconductor
Описание

Fairchild Semiconductor FDMB3900AN RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V Continuous Drain Current: 7 A Resistance Drain-Source RDS (on): 23 mOhms Configuration: Dual Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: MicroFET 3 x 1.9 Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 1.6 W Factory Pack Quantity: 3000
Количество страниц

7 шт.
Форматы файла

HTML, PDF
(Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet FDMB3900AN.pdf
Файл формата Pdf 215,76 KB

Все даташиты (технические описания) представлены в формате PDF с использованием Adobe Acrobat Reader, который Вы можете бесплатно скачать.

Сообщить об ошибке

Где можно купить

FDMB3900ANОнлайн Компоненты

FDMB3900ANЭИК

FDMB3900ANТМ Электроникс

Разместить объявление

Новости электроники

<p>Новые технологии для ST микроконтроллера, опыт изготовителя и эффективность архитектуры STM32 дали возможность обеспечить отличный результат. Срок службы батареи составляет более чем 15 лет, также появились новые возможности по энергосбережению.</p>

Беспроводные MCU ST — оптимальное решение для эффективного промышленного мониторинга

25.05.2024

<p>TrendForce сообщает об очередных изменениях на рынке флэш-памяти NAND. В том числе на него повлияло сокращение производства, предусмотренное стратегией компании Samsung. У многих пользователей были определенные опасения, ситуацию усложняла неопределенность, приводящая к медленным закупкам, при этом количество запасов сократилось.</p>

По мнению TrendForce ожидается очередной рост выручки от продаж флэш-памяти NAND

24.05.2024

<p>Компания Infineon Technologies AG выпустила новейший МОП-транзистор на основе карбида кремния (SiC), CoolSiC MOSFET 650V и 1200V Generation 2, который стал новым достижением в области технологий преобразования энергии. Эта технология нового поколения значительно улучшает ключевые показатели производительности, такие как накопленная энергия и заряд, на 20 процентов по сравнению с предшественниками, без снижения качества и надежности. Это улучшение способствует повышению энергоэффективности, что вносит вклад в более широкие усилия по декарбонизации.</p>

Infineon представляет усовершенствованный SiC MOSFET для повышения энергоэффективности

22.05.2024

Еще новости

Продукция NKK Switches - Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Продукция NKK Switches

Галетные, сенсорные, тактильные кнопки и переключатели.

Разместить объявление

Подписаться на новости

Хотите интересные новости электроники? Подпишитесь на рассылку наших новостей.